“冰火两重天”，五大变化梳理全球SiC产业

变化一，国际大厂脚步放缓

Yole预计，全球SiC市场规模预计将从2025年接近60亿美元增长至2029年的100亿美元，年复合增长率预计约为36.7%。芯片和器件制造环节上，根据2023年企业财报测算，意法半导体(ST)、英飞凌(Infineon)、Wolfspeed、安森美(Onsemi)、罗姆(ROHM) 的总体市占率达到82%，产业环节呈现高度集中状态。ENgesmc

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图源：清纯半导体ENgesmc

得益于新能源汽车产业的高速发展，这些大厂此前设定的业绩目标均为在2030年实现SiC功率电子市占率30-40%，产能规划、投资力度方面也都颇为激进。但下半年来，不够稳定的市场环境让他们暂时放慢了脚步。ENgesmc

• Wolfspeed

近日，Wolfspeed宣布董事会已同意Gregg Lowe辞去公司总裁兼首席执行官及董事会成员的职务。这一决定是在公司面临电动汽车需求放缓，工业、能源终端市场订单减少，以及2025财年第一财季亏损2.82亿美元的背景下做出的。ENgesmc

尽管根据英国《芯片法案》的规定，Wolfspeed可能获得24亿美元的资金注入，但公司在向纯200mm碳化硅晶圆和设备制造的转型过程中仍然举步维艰。ENgesmc

本月早些时候，Wolfspeed表示将为计划关闭一家位于美国北卡罗来纳州达勒姆(Durham)的150mm SiC工厂准备1.74亿美元的重组费用。公司还在最新一次财报电话会议上宣布将裁员20%(约1000人)，并放弃在德国恩斯多夫建厂计划，以应对欧洲电动汽车市场需求的放缓。ENgesmc

• 英飞凌

据外媒报道，由于半导体市场低迷，英飞凌决定推迟马来西亚居林晶圆厂的第二阶段建设，并削减10%的投资。不过这一消息没有得到英飞凌官方回应，外界普遍猜测如果属实，表明当前市场环境仍不够乐观，正如英飞凌CEO指出，“市场周期性疲软仍在继续，许多终端市场的复苏乏力。”ENgesmc

英飞凌马来西亚居林“超级晶圆厂”第二阶段建设的投资额高达50亿欧元，原计划将在未来几年内继续扩建，完成后将成为全球最大且最具竞争力的200毫米碳化硅功率半导体晶圆厂。ENgesmc

根据英飞凌2024财年的财报，该公司全年总营收为149.55亿欧元，同比下降8%；利润为31.05亿欧元，利润率为20.8%，表明在面对市场需求疲软的情况下该公司仍保持了一定的盈利能力。ENgesmc

• 罗姆

罗姆的SiC业务进展及未来规划也在近期做出了调整。按照原计划，罗姆准备在2021-2027年为SiC业务投入5100亿日元(约合人民币239.7亿)，现在则准备降至4700亿-4800亿日元(约合人民币220.9亿-225.6亿)，2025财年达到1100亿日元(约合人民币51.7亿)的销售额目标也被推迟到2026-2027年。ENgesmc

产能方面，罗姆筑后工厂计划于2025年开始大规模生产，宫崎第二工厂预计在2025年投产，原定“到2025年将SiC产能提升到2021年6倍”的目标将顺延至2026年实现。ENgesmc

变化二，本土公司高速入局

尽管与国际大厂相比，国内SiC的市场份额占比还比较小，但中国SiC器件设计与制造技术发展快速，产能持续扩张。预计到2026年，中国SiC产能、衬底产能将达460万片，可满足约3000万辆新能源汽车的SiC器件需求，也确实存在着产能过剩的风险。ENgesmc

天岳先进济南和济宁工厂年产能约6.7万片，主要为4~6英寸半绝缘型衬底；上海临港工厂已于2023年5月开始交付6英寸导电型SiC衬底，2026年全部达产后导电型碳化硅衬底年产能将超过30万片。2023年下半年，该公司决定将6英寸SiC衬底的生产规模扩大至96万片/年。ENgesmc

天科合达北京工厂二期处于规划中；徐州工厂二期总投资8.3亿元，规划年产16万片碳化硅衬底晶片，2024年投产；今年2月，由天科合达子公司深圳重投天科负责运营的第三代半导体SiC材料生产基地也在深圳宝安区启动，今年衬底和外延产能达25万片。预计2025年底，天科合达6英寸衬底有效年产能达到55万片。ENgesmc

烁科晶体SiC二期项目预计为公司每年新增20万片6~8英寸SiC衬底的产能，预计2025年实现年产30万片。根据长期规划，公司将继续投资30亿，形成接近200万片的年产能。ENgesmc

东尼电子的“年产12万片SiC半导体材料”项目于2023年上半年实施完毕，并计划利用东尼五期厂区厂房，实施扩建年产20万片6英寸SiC衬底材料项目。ENgesmc

三安光电2025年二期项目达产后，6英寸SiC衬底以及配套产能将达到36万片。预计2023年末至2024年初，6英寸SiC产能规划扩产至1.8~2万片/月。8英寸产线方面，除了与ST合资，在重庆投资32亿美元(约220亿元)建设8英寸SiC外延与芯片代工厂外，还将单独投资70亿元在重庆建设8英寸SiC衬底工厂。ENgesmc

士兰微8英寸SiC项目进入土方工程收尾阶段，预计于2025年第三季度初步通线，第四季度试生产。总投资规模约120亿元，两期建设完成后将形成8英寸碳化硅功率器件芯片年产72万片的生产能力。ENgesmc

以上只是中国SiC行业投资扩产热情的一个缩影，据不完全统计，2023年全球公开披露的SiC相关扩产项目就有121起，总投资金额高达260亿美元。其中，来自中国的扩产项目就有97起。ENgesmc

变化三，材料、器件、工艺，三维看技术

从材料来看，基于成本、良率的需求，晶圆材料正在向大尺寸、低缺陷SiC衬底及外延制备的方向发展。这里主要指的就是碳化硅晶片从6英寸向8英寸的转型升级。ENgesmc

从器件来看，追求更低的SiC MOSFET比导通电阻，同时在可靠性、鲁棒性更接近硅基IGBT水准。国际头部大厂目前基本维持3-5年的迭代周期，每次迭代会带来20%-25%的比导通电阻值下降。而中国SiC MOSFET最新技术已经对标国际主流水平，并保持1年1代的快速迭代节奏。ENgesmc

从工艺来看，继续研究制约SiC MOSFET发展的基础科学问题，比如通过采用高纯度SiC衬底、改进栅氧化层制作工艺来提升沟道迁移率等。ENgesmc

变化四，价格持续下跌

进入2024年，6英寸碳化硅晶圆衬底的主流市场价格已从高位迅速降至400~450美元的区间，较之前有了大幅下降。据行业分析师分析，6英寸碳化硅价格的暴跌主要归因于供应过剩和市场竞争加剧，而且随着中国碳化硅产能扩张，大量产品涌入市场，导致供需失衡，价格承压下跌。ENgesmc

在中国市场，6英寸碳化硅衬底的价格下跌更为显著。与国际供应商报价维持在750~800美元之间相比，中国制造商的价格与国际供应商的价格差异已扩大至30%左右，反映出中国碳化硅市场的激烈竞争和供应过剩的现状。ENgesmc

器件价格方面，从去年9月到今年4月，1200V/40mΩ SiC MOSFET的平均价格已经从35元跌到23元，下降幅度达到35%。对比同类型的1200V/40mΩ 硅基IGBT的价格，目前SiC器件的价格是硅基器件的1.5-2倍。业内人士预测称，未来两三年内，SiC器件与同规格IGBT器件的价格对比数值有望下降到1.2-1.5倍。ENgesmc

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业内专家表示，碳化硅衬底和外延的价格都在持续下降，这种趋势在短期内可能继续存在。随着新布局产能的陆续投产，价格战可能进一步加剧，导致价格进一步下跌。ENgesmc

变化五，应用与产业链呈现动态发展

目前看到的一个明显趋势，是随着汽车制造商对更高能效和续航能力的追求，整车厂在接下来的两三年里会发布更多搭载800V平台的车型，对SiC功率器件的需求会进一步增加。可以说，“800V+SiC”已经基本成为高端电动汽车标配。ENgesmc

与新能源汽车市场同步高速发展的还有充电基础设施，尤其是在中国市场，新能源汽车与充电桩的配比达到了2.5:1，远高于欧美8:1的比例。根据中国充电联盟数据，预计到2027年，中国用于充电基础设施的第三代功率电子市场将达到21.8亿元。这其中，高压直流快充为SiC功率电子创造的市场机会最大。ENgesmc

业内人士指出，在完成SiC半导体技术创新及市场教育后，国际竞争焦点将逐步从技术研发转移到大规模量产，而依托巨大的应用市场和高效产能提升，中国在不久的将来很有可能主导全球SiC产业——第一阶段是国际芯片供应商主导供应链，国内SiC材料实现部分替代；第二阶段是国内市场实现全面国产替代，国际芯片与终端企业、国内企业展开全面合作。ENgesmc